掃描電鏡圖像出現(xiàn)局部過(guò)曝，說(shuō)明局部信號(hào)強(qiáng)度過(guò)高，已經(jīng)超過(guò)探測(cè)器或顯示范圍，需要從成像參數(shù)和樣品狀態(tài)兩方面來(lái)處理。

先從亮度和對(duì)比度入手。適當(dāng)降低亮度或探測(cè)器增益，避免強(qiáng)信號(hào)直接被拉到飽和區(qū)。不要只調(diào)對(duì)比度，否則容易把正常區(qū)域壓暗，卻仍然保留過(guò)曝區(qū)域。

再看束流和加速電壓。束流過(guò)大是局部過(guò)曝的常見(jiàn)原因，尤其在高倍觀察時(shí)?？梢赃m當(dāng)降低束流或加速電壓，讓電子與樣品的相互作用減弱，亮區(qū)就不會(huì)那么刺眼。

檢查樣品是否存在充電效應(yīng)。非導(dǎo)電區(qū)域容易積累電荷，導(dǎo)致局部信號(hào)突然增強(qiáng)，看起來(lái)像過(guò)曝。改善方法包括噴金、噴碳、降低加速電壓或使用低真空模式。

調(diào)整掃描參數(shù)也很有效。減慢掃描速度、啟用線平均或幀平均，可以平滑信號(hào)，減少瞬時(shí)高亮點(diǎn)造成的過(guò)曝。如果是快速掃描導(dǎo)致的亮度跳變，這一步效果很明顯。

選擇合適的探測(cè)器。二次電子探測(cè)器對(duì)邊緣和突起非常敏感，容易出現(xiàn)亮斑。如果局部過(guò)曝嚴(yán)重，可以嘗試切換到背散射電子成像，亮度分布通常更均勻。

之后要考慮樣品本身的形貌和成分差異。尖銳邊緣、高原子序數(shù)區(qū)域本身就會(huì)更亮，這不是設(shè)備問(wèn)題，而是成像對(duì)比特性。此時(shí)應(yīng)通過(guò)參數(shù)平衡整體，而不是強(qiáng)行“壓亮”。

實(shí)際操作中，建議在目標(biāo)放大倍數(shù)下，先調(diào)束流和亮度，再微調(diào)對(duì)比度，檢查充電和掃描方式。這樣既能壓住過(guò)曝，又不至于丟失暗區(qū)細(xì)節(jié)。